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Speicherkomponenten

e2v

Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)

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Die “Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM)” Speichertechnologie bietet eine einzigartige Kombination aus schnellem Lese- und Schreibzugriff mit Nicht-Volatilität und unbegrenzter Lebensdauer. Die Technik schützt die Daten im Falle eines Stromausfalls und erfordert keine regelmäßige Aktualisierung.

MRAM ist die ideale Lösung für jede Anwendung, die ständig und schnell Daten speichern und abrufen muss. Die MRAM -Technologie hat sich als sehr vorteilhaft erwiesen für Kunden im Bereich Verteidigung und Weltraumtechnik aufgrund von 3 wesentlichen Voraussetzungen:

- gesicherter Datenerhalt über 20 Jahre
- superschneller Lese- und Schreibzugriffzeit von nur 35 nsec
- außergewöhnlich lange Lebensdauer

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Anwendungsgebiete

  • Verteidigung: Radar, ECM, Field Communication, Electronic warfare
  • Luft-und Raumfahrt: Flight Computers, Displays, Engine Control
  • Industrie: ''Down-hole'' oder ''Under-the hood'' Computer

MRAM-Technologie

Produkte

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MRAM Vorteile

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